原子层沉积（ALD）工艺揭秘：成功开发、优化和表征 ALD 工艺 …
2024年5月7日 · 原子层沉积技术（ald）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的 ald 生长过程，通过选择性交替，把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应形成沉积薄膜。
ALD (Atomic Layer Deposition) - 知乎 - 知乎专栏
ALD是通过将 气相 前驱体脉冲交替地通入 反应器 并在基体上 化学吸附 并反应而形成薄膜。 通过供给惰性气体（Ar,N2等）分隔各种反应物，单个原子层沉积，并重复沉积控制厚度。 即，ALD 不是通过气体气相反应来沉积，而是一种反应物吸附在基体上，然后第二或者第三种气体进入并与基体化学吸附成膜。 这种反应称为自限性反应（ Self-limiting Reaction）。 自限性反应只发生在反应物和表面的反应，反应物和反应物不发生反应，因此能够以原子层为单位沉积。 如图所示. …
薄膜沉积丨原子层沉积（ALD）技术原理及应用 - AccSci英生科技
原子层沉积 (Atomic Layer Deposition, ALD)是一种基于化学气相沉积 (CVD) 的高精度薄膜沉积技术，是将物质材料以单原子膜的形式基于化学气相一层一层的沉积在衬底表面的技术。
一项多尺度模拟技术，打通ALD的材料—过程—装备？ - 知乎
2024年4月3日 · 采用ald制备的薄膜具有高致密性（无针孔）、高保形性及大面积均匀性等优异性能，这对薄膜的应用具有重要的实际意义。作为集成电路先进制程中薄膜沉积的核心工艺，ald可以在大尺寸（8-12英寸）晶圆纳米孔道内沉积埃米级精度的功能薄膜。
Atomic Layer Deposition: Fundamentals, Practice, and Challenges
2018年1月1日 · Atomic layer deposition (ALD) for thin film deposition is one of the most important techniques that is enabling the continuous miniaturization of semiconductor devices.
A brief review of atomic layer deposition: from fundamentals to ...
2014年6月1日 · Atomic layer deposition (ALD) is a vapor phase technique capable of producing thin films of a variety of materials. Based on sequential, self-limiting reactions, ALD offers exceptional conformality on high-aspect ratio structures, thickness control at the Angstrom level, and tunable film composition.
New development of atomic layer deposition: processes, methods …
2019年5月23日 · Atomic layer deposition (ALD) is an ultra-thin film deposition technique that has found many applications owing to its distinct abilities. They include uniform deposition of conformal films with controllable thickness, even on complex three-dimensional surfaces, and can improve the efficiency of electronic devices.
固有的选择性原子层沉积及其应用,Chemistry of Materials - X-MOL
在本文中，总结了固有选择性ald方法的最新发展。 基于前体在悬挂键，间隙，晶界等上的优先吸附，可以实现单原子沉积，纳米线生长良好排列和缺陷钝化，以使总表面能最小化。
ALD: Atomic Layer Deposition, Precise and Conformal Coating
2014年1月1日 · ALD (atomic layer deposition), originally known as ALE (atomic layer epitaxy), is a special kind of chemical vapor deposition process. It was firstly developed by T. Suntola in Finland as early as 1974. It was intended to fabricate polycrystalline luminescent ZnS:Mn and amorphous Al 2 O 3 insulator films for electroluminescent flat panel displays.
原子层沉积技术设计制备的单原子催化剂,ACS Catalysis - X-MOL
原子层沉积 (ald) 技术允许在原子尺度上控制材料的合成。ald 已适用于设计和制备具有原子级控制的单原子催化剂 (sac)。本综述的主要目的是系统化我们对 ald 合成 sac 的知识，从而帮助读者提取该领域进一步发展的基本原理。