微纳加工丨电子束光刻（EBL）技术介绍 - AccSci英生科技
电子束光刻（e-beam lithography；EBL）是无掩膜光刻的一种，它利用波长极短的聚焦电子直接作用于对电子敏感的光刻胶（抗蚀剂）表面绘制形成与设计图形相符的微纳结构。
电子束曝光 - 百度百科
电子束曝光（electron beam lithography）指使用电子束在表面上制造图样的工艺，是光刻技术的延伸应用。光刻技术的精度受到光子在波长尺度上的散射影响。使用的光波长越短，光刻能够达到的精度越高。根据德布罗意的物质波理论，电子是一种波长极短的波。
一文读懂电子束光刻技术与MEMS制造 - 腾讯网
2020年2月9日 · 电子束光刻是微纳制造领域中非常重要的技术手段。那么，在电子束光刻的具体工艺流程是怎么样的呢？影响光刻效果的主要因素又是什么？
光刻技术的原理和EUV光刻技术前景
电子束光刻技术要应用于纳米尺度微小结构的加工和集成电路的光刻，必须解决几个关键的技术问题：电子束高精度扫描成像曝光效率低;电子在抗蚀剂和基片中的散射和背散射现象造成的邻近效应；在实现纳米尺度加工中电子抗蚀剂和电子束曝光及显影、刻蚀等 ...
电子束光刻及操作技术培训-第一部分-清华大学微纳加工中心
2023年10月25日 · 本期培训内容是《电子束光刻及操作技术培训》，主要基于NB5型电子束光刻机进行讲解。NB5型电子束光刻机可以兼容不大于8英寸晶圆的任意形状样品；加速电压为20-100kV连续可调；加速电压为100kV时，曝光时的束流范围为0.2-120nA，并且在加速电压为100kV，束斑直径 ...
电子束光刻 E-beam Lithography - USTC
电子束光刻技术是利用纳米电子束斑在光刻胶上扫描， 改变光刻胶的显影特性，可获得纳米级分辨率的图形结构。 技术指标 ： 套刻精度： 在高精度模式下小于±20nm 拼接精度： 在高精度模式下小于±20nm 束流： 30pA至20nA 束斑： 在高精度模式下小于3nm
高精度电子束光刻技术在微纳加工中的应用 - ep.org.cn
摘要： 对电子束光刻系统的原理以及在微纳加工领域的应用进行了讨论。首先对光刻系统的工作原理进行了阐述。然后讨论了电子束光刻的关键工艺，如光胶的选择、剥离工艺的优化以及邻近效应对图形的影响及修正方法。
电子束光刻技术的原理及其在微纳加工与纳米器件制备中的应用
摘要 电子束光刻是微电子技术领域重要的光刻技术之一,它可以制备特征尺寸10nm甚至更小的图形。随着电子束曝光机越来越多地进入科研领域,它在微纳加工、纳米结构的特性研究和纳米器件的制备等方面都呈现出重要的应用价值。
微纳加工 | 电子束光刻术加工原理 - AccSci英生科技
电子束光刻系统广泛用于制造光刻掩模板、先进的原理样机和纳米级的科学研究及开发。最先进的电子束光刻系统可以以超高分辨率完成极限尺寸小于10nm的图形转印（通过金属剥离、刻蚀或加色技术）。
电子束光刻纳米加工及其应用：综述,Microelectronic Engineering
本综述涵盖了基于电子束光刻 (ebl) 为纳米电子器件、纳米光子超材料和其他纳米结构开发的各种纳米制造技术。 与之前的出版物不同，这篇评论特别关注如何应用 EBL 抗蚀剂的特性来构建多层堆叠以实现图案转移。
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